سامسونگ فناوری پکیجینگ ۱۲ لایه تراشه مبتنی بر TSV را ترقی انصاف

سامسونگ الکترونیکس از پیش گامان صنعتی حرفه ای تولید نیمه هادی محسوب می شود. جدیدترین اخبار از این شرکت توقع می کند که آن ها موفق به تولید خراش ی ۱۲ لایه مبتنی بر فناوری 3D-TSV شده اند. نوآوری جدید کره ای ها به نشانی یکی از چالشی ترین فناوری های پکیجینگ تراشه در جهان شناخته می شود که درون تولید متراکم تراشه های با کاربری حرفه ای مطرح است. در تولید با مصرف از این فناوری بوسیله دقت بیش بالا نیاز خواهد وجود تا ۱۲ تراشه ی DRAM با انتظام بیش از ۶۰ هزاره سوراخ TSV به تیمار همواره شوند. هر یک از سوراخ ها قطری به اندازه ی یک بیستم ضخامت مات تاک دارد.مقاله های مرتبط:سامسونگ به تولید تراشه ۵ نانومتری مبتنی بر فناوری EUV نزدیک مرطوب می شودتراشه 3 نانومتری سامسونگ سال ۲۰۲۱ به تولید انبوه می رسد

ضخامت بی مو خراش به قطع ی ۷۲۰ میکرومتر، طبق با محصولات هشت لایه ی High Bandwidth Memory-2 است. درنتیجه فرود امدن به چنین ابعادی به عنوان یک پیشرفت بیش مهم تو نقشه کشی قطعات محسوب می شود. چنین فناوری بوسیله مشتریان سامسونگ امکان می دهد تا محصولات قبیله بعدی را با ظرفیت های متجاوز فراز تولید و عاری نیاز به دگرگونی ابعاد و مدل سازی های پایه، از حجم های تراش های جدید استفاده کنند. به علاوه فناوری پکیچینگ سه بعدی زمان انتقال داده بین خراش ها را هم کاهش می دهد. سرعت این فناوری نسبت به فناوری اتصالی کنونی (Wire Bonding) بیشتر خواهد بود و درنهایت به کاهش کاربرد نیرو هم منجر می شود.

هنگ جدول باک، کمک ارشد اجرایی TSP در سامسونگ الکترونیکس درباره ی دستاورد جدید می گوید:فناوری پکیجینگ که تمامی پیچش های تراش های حافظه با کارایی بالا را پوشش بدهد، از نیازهای حیاتی دنیای امروز محسوب می شود. کاربردهای بسیار متنوع و جدیدی که روز به روز بر تعداد آن ها افزوده می شود، این حاجت را چندبرابر می کنند. از میان آن ها می استعداد بوسیله کاربردهای فهمیدن ساختگی (AI) و پردازش با غلبه بالا (HPC) اشاره کرد.

با نزدیک شدن عادت مور به محدودیت های نهایی، نقش فناوری 3D-TSV متجاوز ازپیش اهمیت محسوس می کند و بوسیله سمت مهیب شدن پیش می رود. ما می خواهیم درون خط لایق این فناوری پکیجینگ پیشرفته باشیم.



سامسونگ با تکیه به خشکی امدن فناوری تولید ۱۲ لایه ی مبتنی به خشکی امدن 3D-TSV، اقتدار ارائه ی بالاترین کارایی را در میدان محصولات DRAM خواهد داشت. چنین کارایی تو کاربردهای با ظرفیت داده و احتیاج به سرعت متجاوز بالا، خطیر خواهد حیات.

سامسونگ با افزایش لایه های خراش از هشت به ۱۲، به زودی توانایی تولید ذهن های با پهنای باند بالای ۲۴ گیگابایتی (HBM) را خواهد داشت. چنین محصولاتی، ظرفیت پهنای باندی سه مقابل نمونه های موجود تو بازار ارائه می کنند. به علاوه کره ای ها پس از تجاری کردن نوآوری متاخر می توانند با تقاضای روبه نمو بازار برای راهکارهای HBM هماهنگ شوند. درواقع فناوری جدید ۱۲ لایه ی 3D TSV امکان حفظ فرمانروایی بازار را برای غول کره ای صنعتی تراشه فراهم می کند.بیشتر بخوانید:پردازنده ها چگونه طراحی و مخلوق می شوند؟ (سرنوشت دوم)تغییرات طراحی جدید گلکسی فولد سامسونگ در کالبدشکافی iFixit مشخص شدگلکسی فولد زودتر از زمان مورد ادعای سامسونگ متروک می شودنیمه رسانای متاخر بوش، ظرفیت پیمایش خودرو برقی را افزودن می دهدسامسونگ قابلیت های جدید و پیشرفته Bixby Vision را اعلام کرد